Дискретные полупроводники

INFINEON

• Dual
• 600 A
• 1.95 V
• 2.5 kW
• 150 °C
• Module

INFINEON

• 1.6 kV
• 25 A
• Bridge
• Module

TT ELECTRONICS / SEMELAB

• P Channel
• 100 V
• 4 A
• 0.6 ohm
• TO-39
• Through Hole

STMICROELECTRONICS

• N Channel
• 40 A
• 600 V
• 0.135 ohm
• 10 V

ONSEMI

• Four Pack
• 409 A
• 1.77 V
• 959 W
• 175 °C
• Module

TOSHIBA

• Single
• N Channel
• 100 A
• 1.2 kV
• 0.015 ohm
• TO-247

INFINEON

• 1.6 kV
• 100 A
• 1.65 V
• Bridge
• Module

ROHM

• Single
• N Channel
• 95 A
• 1.2 kV
• 0.022 ohm
• TO-247N

NXP

• 65 V
• 200 µA
• 159 W
• 945 MHz
• NI-360

SANREX

• 1.6KV
• 251A

INFINEON

• Single Switch
• 900 A
• 1.7 V
• 2.8 kW
• 125 °C
• Module

SEMIKRON

• Single Phase
• 1.2 kV
• 67 A
• Module
• 4 Pins
• 1.6 V

INFINEON

• Dual [Half Bridge]
• 900 A
• 1.7 V
• 20 mW
• 175 °C
• Module

MICROCHIP

• Schottky
• 1.7 kV
• 50 A
• SOT-227

INFINEON

• PIM Three Phase Input Rectifier
• 100 A
• 1.75 V
• 515 W
• 150 °C
• Module

SENSATA/CRYDOM

• HD
• 90A
• 380VAC

INFINEON

• 100 A
• 1.75 V
• 515 W
• 150 °C
• Module

INFINEON

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 195 A
• 2 kV
• 0.008 ohm
• Module

INFINEON

• Dual
• 400 A
• 1.65 V
• 1.5 kW
• 175 °C
• Module

SEMIKRON

• 340 A
• 1200 V

SENSATA/CRYDOM

• 600 V
• 90 A
• 1.4 V
• RD
• Module
• 3 Pins

INFINEON

• Six Pack [Full Bridge]
• 100 A
• 1.7 V
• 355 W
• 125 °C
• Module

ONSEMI

• Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
• 50 A
• 2.4 V
• 20 mW
• 150 °C
• DIP

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

INFINEON

• 1.6KV
• 820A