Каталог Бренды

Диоды Шоттки

Производитель

BROADCOM (6)
GENESIC SEMICONDUCTOR (3)
INFINEON (3)
LITTELFUSE (2)
MICROCHIP (6)
NEXPERIA (2)
VISHAY (4)
WOLFSPEED (1)

Стандарт квалификации для автомобилей

Средний прямой ток

110a (1)
120ma (1)
150a (1)
184a (1)
200ma (2)
230a (1)
240a (1)
30a (2)
370a (1)
500ma (1)
50a (3)
54a (1)
62a (1)
70ma (1)
90a (1)

Непрерывный прямой ток If

150a (1)
240a (1)

Емкость диода

0-26pf (1)
0-3pf (1)
1-2pf (2)
1pf (1)
2pf (1)

Стиль корпуса диода

do-34 (1)
sod-323 (1)
sod-80c (1)
sot-143 (1)
sot-227 (8)
sot-227b (2)
sot-23 (6)
t-max (1)
to-247 (3)

Конфигурация диода

bridge (2)
common-cathode (1)
dual (2)
dual-common-cathode (1)
dual-independent (1)
dual-isolated (2)
dual-series (2)
single (9)

Конфигурация модуля диода

dual (4)

Крепление диода

panel (10)
surface-mount (9)
through-hole (5)

Максимальный прямой ток If

1a (3)
1ma (2)
5ma (1)

Прямой ток

1a (3)
1ma (2)
5ma (1)

Прямой импульсный ток

100ma (1)
2-5a (1)
5a (2)
750ma (1)

Максимальное прямое напряжение

1-8v (4)
380mv (1)
400mv (1)
700mv (2)
800mv (1)

Прямое напряжение

1v (1)
250mv (1)
340mv (1)
350mv (1)
410mv (2)

Максимальная температура перехода Tj

175-c (2)

Количество выводов

2-pin (3)
2pins (3)
3-pin (5)
3pins (2)
4-pin (7)
4pins (4)

Максимальная рабочая температура

125-c (4)
150-c (7)
175-c (14)

Квалификация

aec-q101 (1)

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1-2kv (4)
1-7kv (6)
3-3kv (2)
30v (2)
40v (2)
650v (2)
70v (1)

Время обратного восстановления

4ns (1)

Обратное напряжение

15v (1)
20v (2)
2v (1)
4v (1)
70v (1)

Общий емкостной заряд

103nc (1)
110nc (1)
164nc (1)
198nc (1)
240nc (1)
274nc (1)
368nc (1)
524nc (1)
796nc (1)
927nc (1)

MICROCHIP

Schottky
1.7 kV
50 A
SOT-227

NEXPERIA

Single
30 V
200 mA
800 mV
5 A
125 °C

BROADCOM

Barrier
Dual Series
15 V
1 A
340 mV
1 pF
SOT-23

VISHAY

Bridge
650 V
50 A
110 nC
SOT-227

MICROCHIP

Schottky
1.7 kV
50 A
SOT-227

MICROCHIP

Single
3.3 kV
62 A
274 nC
TO-247

BROADCOM

Barrier
Common Cathode
20 V
1 mA
1 V
1.2 pF
SOT-23

VISHAY

Bridge
650 V
50 A
110 nC
SOT-227

VISHAY

Bridge
650 V
90 A
164 nC
SOT-227

BROADCOM

Barrier
Single
70 V
1 A
410 mV
2 pF
SOT-23

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS
Single
1.7 kV
110 A
103 nC
TO-247

LSIC2SD120N80PA

LITTELFUSE

Dual
1.2 kV
150 A
240 nC
SOT-227B

BAT165E6327HTSA1

INFINEON

Single
40 V
500 mA
700 mV
2.5 A
150 °C

BROADCOM

Barrier
Dual Independent
20 V
1 A
410 mV
1.2 pF
SOT-143

INFINEON

Single
70 V
70 mA
700 mV
100 mA
125 °C

BROADCOM

Dual Series
4 V
5 mA
350 mV
0.26 pF
SOT-23

LSIC2SD120N120PA

LITTELFUSE

Dual
1.2 kV
240 A
368 nC
SOT-227B

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS Gen IV
Dual Isolated
1.7 kV
230 A
524 nC
SOT-227

VISHAY

Bridge
650 V
90 A
164 nC
SOT-227

BROADCOM

Zero Bias
Single
2 V
1 mA
250 mV
0.3 pF
SOT-23

GB2X100MPS12-227

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS
Dual Isolated
1.2 kV
370 A
796 nC
SOT-227

MICROCHIP

Single
3.3 kV
184 A
927 nC
T-MAX

MICROCHIP

Schottky
1.7 kV
30 A
SOT-227

MICROCHIP

Schottky
1.7 kV
30 A
SOT-227

INFINEON

Single
40 V
120 mA
380 mV
750 mA
125 °C