Полевые транзисторы (FET)

TT ELECTRONICS / SEMELAB

• P Channel
• 100 V
• 4 A
• 0.6 ohm
• TO-39
• Through Hole

STMICROELECTRONICS

• N Channel
• 40 A
• 600 V
• 0.135 ohm
• 10 V

TOSHIBA

• Single
• N Channel
• 100 A
• 1.2 kV
• 0.015 ohm
• TO-247

ROHM

• Single
• N Channel
• 95 A
• 1.2 kV
• 0.022 ohm
• TO-247N

NXP

• 65 V
• 200 µA
• 159 W
• 945 MHz
• NI-360

INFINEON

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 195 A
• 2 kV
• 0.008 ohm
• Module

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

STMICROELECTRONICS

• 130 V
• 20 A
• 389 W
• 175 MHz
• M174

INFINEON

• SixPack
• N Channel
• 25 A
• 1.2 kV
• 0.0323 ohm
• Module

INFINEON

• Full Bridge
• Six N Channel
• 25 A
• 1.2 kV
• 0.045 ohm
• Module

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780GS

GENESIC SEMICONDUCTOR

• Single
• N Channel
• 124 A
• 1.7 kV
• 0.02 ohm
• TO-247

ONSEMI

• N Channel
• 30 V
• 1.7 A
• 0.065 ohm
• SOT-23
• Surface Mount

INFINEON

• SixPack
• N Channel
• 310 A
• 1.2 kV
• 0.00254 mohm
• Module

LITTELFUSE

• Single
• N Channel
• 75 A
• 1.2 kV
• 0.027 ohm
• SOT-227B

ROHM

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 180 A
• 1.2 kV
• Module

ONSEMI

• N Channel
• 20 V
• 1.7 A
• 0.07 ohm
• SOT-23
• Surface Mount

INFINEON

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 50 A
• 1.2 kV
• 0.0225 ohm
• Module

ROHM

• Single
• N Channel
• 118 A
• 650 V
• 0.017 ohm
• TO-247N

INFINEON

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 390 A
• 1.2 kV
• 0.00147 ohm
• Module

NXP

• 179 V
• 3.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• OM-1230G

NXP

• GaN
• 125 V
• NI-780S

TT ELECTRONICS / SEMELAB

• N Channel
• 500 V
• 14.5 A
• 0.4 ohm
• TO-3
• Through Hole

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780H

ONSEMI

• Half Bridge
• Dual N Channel
• 51 A
• 1.2 kV
• 0.02 ohm
• Module