Радиочастотные FET-транзисторы

NXP

• 65 V
• 200 µA
• 159 W
• 945 MHz
• NI-360

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

STMICROELECTRONICS

• 130 V
• 20 A
• 389 W
• 175 MHz
• M174

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780GS

NXP

• 179 V
• 3.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• OM-1230G

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780H

NXP

• 110 V
• 10 MHz
• 600 MHz
• TO-272

NXP

• 89 V
• 3.7 A
• 108 MHz
• 225 MHz
• SOT-467C

NXP

• 133 VDC
• 1.8 MHz
• 2000 MHz
• NI-780

TT ELECTRONICS / SEMELAB

• 65 V
• 4 A
• 83 W
• 1 MHz
• 200 MHz
• DK

STMICROELECTRONICS

• 90 V
• 150 W
• 1 GHz
• LBB

NXP

• 70 V
• 1 µA
• 197 W
• 470 MHz
• 860 MHz
• NI-360

STMICROELECTRONICS

• 130 V
• 40 A
• 625 W
• 250 MHz
• STAC244B

NXP

• 100 V
• 42 A
• 250 W
• 960 MHz
• 1.2 GHz
• SOT-502A

NXP

• 68 V
• 100 µA
• 92 W
• 945 MHz
• NI-360

STMICROELECTRONICS

• 80 V
• 9 A
• 108 W
• 1 GHz
• M250

TT ELECTRONICS / SEMELAB

• 70 V
• 25 A
• 389 W
• 1 MHz
• 1 GHz
• DR

NXP

• 125 V
• 232 W
• 1 MHz
• 2.7 GHz
• NI-360H-2SB

NXP

• 135 V
• 1.667 kW
• 1.8 MHz
• 500 MHz
• NI-1230H-4S

NXP

• 104 V
• 3.7 A
• 858 MHz
• 860 MHz
• SOT-467C

STMICROELECTRONICS

• 900 V
• 27 MHz
• STAC177B

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

NXP

• 130 VDC
• 1.05 kW
• 1.8 MHz
• 600 MHz
• NI-780

STMICROELECTRONICS

• RF FET Transistor
• LDMOS
• 95 V
• 120 W
• 1.5 GHz
• LBB
• 95 V
• 120 W
• 1.5 GHz
• LBB

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780GS