Полевые транзисторы (FET)

NXP

• 65 V
• 200 µA
• 159 W
• 945 MHz
• NI-360

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780GS

NXP

• 179 V
• 3.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• OM-1230G

NXP

• GaN
• 125 V
• NI-780S

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780H

NXP

• 110 V
• 10 MHz
• 600 MHz
• TO-272

NXP

• 89 V
• 3.7 A
• 108 MHz
• 225 MHz
• SOT-467C

NXP

• 133 VDC
• 1.8 MHz
• 2000 MHz
• NI-780

NXP

• 70 V
• 1 µA
• 197 W
• 470 MHz
• 860 MHz
• NI-360

NXP

• GaN
• 125 V
• NI-780S
• Surface Mount

NXP

• 100 V
• 42 A
• 250 W
• 960 MHz
• 1.2 GHz
• SOT-502A

NXP

• 68 V
• 100 µA
• 92 W
• 945 MHz
• NI-360

NXP

• 125 V
• 232 W
• 1 MHz
• 2.7 GHz
• NI-360H-2SB

NXP

• 135 V
• 1.667 kW
• 1.8 MHz
• 500 MHz
• NI-1230H-4S

NXP

• 104 V
• 3.7 A
• 858 MHz
• 860 MHz
• SOT-467C

NXP

• 100 V
• 960 MHz
• 1.4 GHz
• PLD-1.5

NXP

• 130 VDC
• 1.05 kW
• 1.8 MHz
• 600 MHz
• NI-780

NXP

• 179 V
• 1.333 kW
• 1.8 MHz
• 400 MHz
• NI-780GS

NXP

• 50 V
• 42 A
• 108 MHz
• 225 MHz
• SOT-502A

NXP

• 100 V
• 150 mA
• 300 W
• 10 MHz
• 600 MHz
• TO-272

NXP

• 105 V
• 1.333 kW
• 700 MHz
• 1.3 GHz
• NI-1230H-4S

NXP

• 110 V
• 88 A
• 225 MHz
• SOT-539A

NXP

• 60 V
• 2.1 A
• 20 W
• 2.7 GHz
• 3.1 GHz
• SOT-608A

NXP

• 133 VDC
• 1.8 MHz
• 2 GHz
• NI-360H