ONSEMI, MJL3281AG

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Through Hole

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Through Hole

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoMJL3281AG
  • Order Code1564182

7 916 руб.

7 916 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 916 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 916 

4+

7 029 

10+

6 733 

Обзор продукта

Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:175hFE; Transistor Cas

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityNPN
  • Collector Emitter Voltage Max260V
  • Continuous Collector Current15A
  • Power Dissipation200W
  • Transistor Case StyleTO-264
  • Transistor MountingThrough Hole
  • No. of Pins3Pins
  • Transition Frequency30MHz
  • DC Current Gain hFE Min175hFE
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • Qualification-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Through Hole