HSMS-2815-TR1G диоды шоттки BROADCOM

RF Schottky Diode, Barrier, Dual Independent, 20 V, 1 A, 410 mV, 1.2 pF, SOT-143

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
BROADCOM
Manufacturer Part NoHSMS-2815-TR1G
Order Code1562341

150 574 руб.

150 574 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 150 574 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

150 574 ₽

141 744 ₽

127 569 ₽

10+

124 407 ₽

Обзор продукта

Diode Configuration:Dual Independent; Reverse Voltage Vr:20V; Forward Current If Max:1A; Forward Voltage VF Max:410mV; Capacitance Ct:1.2pF; Diode Case Style:SOT-143; No. of Pins:4 Pin; Produ

Техническая спецификация

Diode ConfigurationDual Independent
Reverse Voltage20V
Forward Current1A
Forward Current If Max1A
Forward Voltage410mV
Diode Capacitance1.2pF

Diode Case StyleSOT-143
No. of Pins4 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHSMS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

HSMS-2815-TR1G диоды шоттки BROADCOM

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

RF Schottky Diode, Barrier, Dual Independent, 20 V, 1 A, 410 mV, 1.2 pF, SOT-143

RF Schottky Diode, Zero Bias, Single, 2 V, 1 mA, 250 mV, 0.3 pF, SOT-23

RF Schottky Diode, Barrier, Single, 70 V, 1 A, 410 mV, 2 pF, SOT-23

Small Signal Schottky Diode, Single, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C

Silicon Carbide Schottky Diode, Dual, 1.2 kV, 240 A, 368 nC, SOT-227B

RF Schottky Diode, Barrier, Common Cathode, 20 V, 1 mA, 1 V, 1.2 pF, SOT-23

Silicon Carbide Schottky Diode, Schottky, 1.7 kV, 50 A, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, MPS, Dual Isolated, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, Bridge, 650 V, 90 A, 164 nC, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, MPS Gen IV, Dual Isolated, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227

Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 400 mV, 5 A, 125 °C

Silicon Carbide Schottky Diode, Schottky, 1.7 kV, 50 A, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 3.3 kV, 62 A, 274 nC, TO-247

Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

Silicon Carbide Schottky Diode, Bridge, 650 V, 50 A, 110 nC, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX

Silicon Carbide Schottky Diode, Bridge, 650 V, 90 A, 164 nC, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, Dual, 1.2 kV, 150 A, 240 nC, SOT-227B

RF Schottky Diode, Barrier, Dual Series, 15 V, 1 A, 340 mV, 1 pF, SOT-23

Silicon Carbide Schottky Diode, Schottky, 1.7 kV, 30 A, SOT-227

Silicon Carbide Schottky Diode, Dual Common Cathode, 1.2 kV, 54 A, 198 nC, TO-247