DIW120SIC023-AQ mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) DIOTEC
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerDIOTEC
- Manufacturer Part NoDIW120SIC023-AQ
- Order Code4552612
17 365 руб.
17 365 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 17 365 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
17 365 ₽
5+
16 323 ₽
10+
15 086 ₽
50+
14 678 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id125A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.023ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins3Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
- Power Dissipation600W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)