MRF24G300HSR5 fet-транзисторы из нитрида галлия (gan) NXP

Gallium Nitride (GaN) Transistor, GaN, 125 V, NI-780S

FET-транзисторы из нитрида галлия (GaN) NXP MRF24G300HSR5 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRF24G300HSR5
  • Order Code3280902RL

16 381 руб.

163 810 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 163 810 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

10+

16 381 ₽

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds125V
  • Continuous Drain Current Id-
  • Drain Source On State Resistance-
  • Typical Gate Charge-
  • Transistor Case StyleNI-780S
  • No. of Pins4Pins
  • Product Range-
  • Qualification-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

Gallium Nitride (GaN) Transistor, GaN, 125 V, NI-780S