G3R12MT12K mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) GENESIC SEMICONDUCTOR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerGENESIC SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoG3R12MT12K
- Order Code4218051
12 615 руб.
12 615 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 12 615 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
12 615 ₽
5+
12 465 ₽
10+
12 313 ₽
50+
12 163 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id155A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.012ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
- Power Dissipation567W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeG3R Series
- SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)