G3R20MT12N mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) GENESIC SEMICONDUCTOR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerGENESIC SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoG3R20MT12N
- Order Code3598658
11 588 руб.
11 588 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 588 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 588 ₽
5+
11 469 ₽
10+
11 353 ₽
50+
11 234 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id105A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.02ohm
- Transistor Case StyleSOT-227
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
- Power Dissipation365W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeG3R
- SVHCLead (19-Jan-2021)