GA100XCP12-227 модули igbt GENESIC SEMICONDUCTOR
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerGENESIC SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoGA100XCP12-227
- Order Code1862695
84 038 руб.
84 038 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 84 038 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
84 038 ₽
25+
74 604 ₽
100+
67 276 ₽
Обзор продукта
DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:SOT-227; No. of Pi
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationSingle
- Continuous Collector Current100A
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation-
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- Transistor Case StyleSOT-227
- Operating Temperature Max150°C
- No. of Pins3Pins
- IGBT TerminationScrew
- IGBT Technology-
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)