INFINEON, FP50R12KE3BOSA1

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerINFINEON
Manufacturer Part NoFP50R12KE3BOSA1
Order Code2726169

14 728 руб.

14 728 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 728 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

14 728 ₽

14 570 ₽

10+

14 412 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:280W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolarityN Channel
Continuous Collector Current75A
DC Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation280W
Power Dissipation Pd280W
Junction Temperature Tj Max125°C

Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPIM 3
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

INFINEON, FP50R12KE3BOSA1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

IGBT Module, Dual Common Emitter Common Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Three level Inverter, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single Switch, 2.4 kA, 1.9 V, 15.5 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 75 A, 1.55 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Seven Pack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 75 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 40 A, 1.7 V, 145 W, 125 °C, Module