ONSEMI, NXH50M65L4C2SG

IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP

IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH50M65L4C2SG
  • Order Code3872101

9 278 руб.

9 278 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 278 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 278 ₽

5+

9 093 ₽

Обзор продукта

Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • IGBT Configuration-
  • DC Collector Current50A
  • Continuous Collector Current50A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.6V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleDIP
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)

Оставить запрос

IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP