INFINEON, FF100R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF100R12RT4HOSA1
- Order Code2726116
14 418 руб.
14 418 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 14 418 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
14 418 ₽
5+
13 164 ₽
10+
11 908 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation; Available until stocks are exhausted Alternative available
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current100A
- Continuous Collector Current100A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Power Dissipation Pd555W
- Power Dissipation555W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)