INFINEON, FF100R12RT4HOSA1

IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF100R12RT4HOSA1
  • Order Code2726116

14 418 руб.

14 418 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 418 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 418 

5+

13 164 

10+

11 908 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation; Available until stocks are exhausted Alternative available

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current100A
  • Continuous Collector Current100A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd555W
  • Power Dissipation555W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module