ONSEMI, NXH450B100H4Q2F2SG

IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH450B100H4Q2F2SG
  • Order Code3929813

18 270 руб.

18 270 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 18 270 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

18 270 ₽

5+

17 927 ₽

10+

17 583 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current101A
  • DC Collector Current101A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd234W
  • Power Dissipation234W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage Max1kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
  • IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module