IXYS SEMICONDUCTOR, MII100-12A3
IGBT Module, Dual, 135 A, 2.2 V, 560 W, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoMII100-12A3
- Order Code2429723
9 434 руб.
9 434 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 9 434 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
9 434 ₽
5+
9 047 ₽
10+
8 660 ₽
50+
8 487 ₽
Обзор продукта
DC Collector Current:135A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:560W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:7Pins;
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- DC Collector Current135A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
- Continuous Collector Current135A
- Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
- Power Dissipation Pd560W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Power Dissipation560W
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- Operating Temperature Max125°C
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)