IXYS SEMICONDUCTOR, MII100-12A3

IGBT Module, Dual, 135 A, 2.2 V, 560 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 135 A, 2.2 V, 560 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMII100-12A3
  • Order Code2429723

9 434 руб.

9 434 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 434 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 434 

5+

9 047 

10+

8 660 

50+

8 487 

Обзор продукта

DC Collector Current:135A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:560W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:7Pins;

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • DC Collector Current135A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Continuous Collector Current135A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Power Dissipation Pd560W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Power Dissipation560W
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • Operating Temperature Max125°C
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 135 A, 2.2 V, 560 W, 125 °C, Module