INFINEON, FF1000R17IE4BOSA1
IGBT Module, Dual, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF1000R17IE4BOSA1
- Order Code2726114
81 911 руб.
163 822 руб. всего
Минимальный заказ от 2 штук
Оставить запрос
→ 2 шт. на сумму 163 822 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
2+
81 911 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.39kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current1.39kA
- DC Collector Current1.39kA
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation6.25kW
- Power Dissipation Pd6.25kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 3
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)