INFINEON, FF1000R17IE4BOSA1

IGBT Module, Dual, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF1000R17IE4BOSA1
  • Order Code2726114

81 911 руб.

163 822 руб. всего

Минимальный заказ от 2 штук

Оставить запрос

→ 2 шт. на сумму 163 822 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

2+

81 911 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.39kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current1.39kA
  • DC Collector Current1.39kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation6.25kW
  • Power Dissipation Pd6.25kW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 3
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 150 °C, Module