INFINEON, FZ1200R12HE4HOSA2

IGBT Module, Dual, 1.825 kA, 1.75 V, 7.15 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.825 kA, 1.75 V, 7.15 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFZ1200R12HE4HOSA2
  • Order Code3703581

83 033 руб.

83 033 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 83 033 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

83 033 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current1.825kA
  • DC Collector Current1.825kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation7.15kW
  • Power Dissipation Pd7.15kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 1.825 kA, 1.75 V, 7.15 kW, 150 °C, Module