INFINEON, FF150R17KE4HOSA1
IGBT Module, Dual, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF150R17KE4HOSA1
- Order Code2377247
11 280 руб.
112 800 руб. всего
Минимальный заказ от 10 штук
Оставить запрос
→ 10 шт. на сумму 112 800 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
10+
11 280 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:250A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans
Техническая спецификация
- Transistor PolarityDual NPN
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current250A
- DC Collector Current250A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
- Power Dissipation1.1kW
- Power Dissipation Pd1.1kW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins7Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)