INFINEON, FF200R12KS4HOSA1
IGBT Module, Dual, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF200R12KS4HOSA1
- Order Code2726123
19 511 руб.
19 511 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 19 511 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
19 511 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:275A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current275A
- Continuous Collector Current275A
- Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
- Power Dissipation Pd1.4kW
- Power Dissipation1.4kW
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)