INFINEON, FF200R17KE4HOSA1

IGBT Module, Dual, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R17KE4HOSA1
  • Order Code2377250

15 746 руб.

15 746 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 746 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 746 

5+

14 339 

10+

12 931 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:310A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Tran

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityDual NPN
  • Continuous Collector Current310A
  • DC Collector Current310A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd1.25kW
  • Power Dissipation1.25kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • No. of Pins7Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module