INFINEON, FF200R17KE4HOSA1
IGBT Module, Dual, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF200R17KE4HOSA1
- Order Code2377250
15 746 руб.
15 746 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 15 746 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
15 746 ₽
5+
14 339 ₽
10+
12 931 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:310A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Tran
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityDual NPN
- Continuous Collector Current310A
- DC Collector Current310A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
- Power Dissipation Pd1.25kW
- Power Dissipation1.25kW
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- No. of Pins7Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)