INFINEON, FF225R12ME4BOSA1

IGBT Module, Dual, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF225R12ME4BOSA1
  • Order Code2726127

13 007 руб.

130 070 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 130 070 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

10+

13 007 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:1.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current320A
  • Continuous Collector Current320A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Power Dissipation Pd1.05kW
  • Power Dissipation1.05kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 150 °C, Module