INFINEON, FF225R12ME4BOSA1
IGBT Module, Dual, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF225R12ME4BOSA1
- Order Code2726127
13 007 руб.
130 070 руб. всего
Минимальный заказ от 10 штук
Оставить запрос
→ 10 шт. на сумму 130 070 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
10+
13 007 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:1.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current320A
- Continuous Collector Current320A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Power Dissipation Pd1.05kW
- Power Dissipation1.05kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoDUAL 3
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)