INFINEON, FF225R17ME4BOSA1

IGBT Module, Dual, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerINFINEON
Manufacturer Part NoFF225R17ME4BOSA1
Order Code2726128

15 273 руб.

152 730 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 152 730 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

10+

15 273 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:340A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.5kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transis

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current340A
Continuous Collector Current340A
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Power Dissipation Pd1.5kW
Power Dissipation1.5kW
Junction Temperature Tj Max150°C

Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

INFINEON, FF225R17ME4BOSA1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Three level Inverter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 250 A, 3 V, 4.8 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 890 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 300 A, 1.55 V, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 35 A, 1.85 V, 210 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Three level Inverter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins

IGBT Module, Half Bridge, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 3.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Single Switch, 1.5 kA, 2.55 V, 17 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 600 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 450 A, 1.55 V, 150 °C, Module