ONSEMI, NXH100B120H3Q0STG

IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM

IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH100B120H3Q0STG
  • Order Code3265490

10 941 руб.

10 941 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 941 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

10 941 ₽

5+

9 573 ₽

10+

7 932 ₽

50+

7 112 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current50A
  • DC Collector Current50A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
  • Power Dissipation186W
  • Power Dissipation Pd186W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StylePIM
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeNXH100B120H3Q0
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM