INFINEON, FF900R12IE4BOSA1
IGBT Module, Dual, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF900R12IE4BOSA1
- Order Code2726152
59 466 руб.
178 398 руб. всего
Минимальный заказ от 3 штук
Оставить запрос
→ 3 шт. на сумму 178 398 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
3+
59 466 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current900A
- Continuous Collector Current900A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Power Dissipation Pd5.1kW
- Power Dissipation5.1kW
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 2
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)