INFINEON, FF600R12ME4AB11BOSA1
IGBT Module, Dual, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF600R12ME4AB11BOSA1
- Order Code2726147
37 519 руб.
37 519 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 37 519 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
37 519 ₽
5+
36 837 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:950A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:3.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current950A
- DC Collector Current950A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation3.35kW
- Power Dissipation Pd3.35kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoDUAL 3
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)