INFINEON, FF450R12KE4EHOSA1

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerINFINEON
Manufacturer Part NoFF450R12KE4EHOSA1
Order Code2781230

17 917 руб.

17 917 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 17 917 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

17 917 ₽

17 523 ₽

10+

17 129 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:520A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis

Техническая спецификация

Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation2.4kW
Power Dissipation Pd2.4kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV

Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

INFINEON, FF450R12KE4EHOSA1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 90 A, 2.2 V, 190 W, 125 °C, Y4-M5

IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Single, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module

IGBT Module, Dual, 600 A, 1.55 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Three level Inverter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 37 A, 1.55 V, 125 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 958 A, 1.85 V, 3.448 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.55 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 600 A, 1.8 V, 3.26 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 365 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Module