INFINEON, FF600R12ME4EB11BOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF600R12ME4EB11BOSA1
- Order Code2986369
38 460 руб.
38 460 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 38 460 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
38 460 ₽
5+
37 691 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current600A
- Continuous Collector Current600A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation-
- Power Dissipation Pd-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins13Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoDUAL 3
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)