INFINEON, FF600R12ME4EB11BOSA1

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R12ME4EB11BOSA1
  • Order Code2986369

38 460 руб.

38 460 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 38 460 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

38 460 

5+

37 691 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current600A
  • Continuous Collector Current600A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins13Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module