FZ825R33HE4DBPSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module

Модули IGBT INFINEON FZ825R33HE4DBPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFZ825R33HE4DBPSA1
  • Order Code3768889

231 068 руб.

231 068 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 231 068 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

231 068 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
  • Continuous Collector Current825A
  • DC Collector Current825A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.4V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max3.3kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeIHM-B
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB