INFINEON, FZ825R33HE4DBPSA1

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFZ825R33HE4DBPSA1
  • Order Code3768889

154 732 руб.

154 732 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 154 732 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

154 732 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
  • Continuous Collector Current825A
  • DC Collector Current825A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.4V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.4V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max3.3kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeIHM-B
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 825 A, 2.4 V, 150 °C, Module