INFINEON, FF1200R12IE5PBPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF1200R12IE5PBPSA1
  • Order Code2986366

79 684 руб.

79 684 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 79 684 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

79 684 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.2kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • Continuous Collector Current1.2kA
  • DC Collector Current1.2kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins10Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module