INFINEON, FF1200R12IE5PBPSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF1200R12IE5PBPSA1
- Order Code2986366
79 684 руб.
79 684 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 79 684 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
79 684 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.2kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityDual N Channel
- Continuous Collector Current1.2kA
- DC Collector Current1.2kA
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max175°C
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins10Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 2
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)