INFINEON, FF225R17ME7B11BPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF225R17ME7B11BPSA1
  • Order Code3994944

14 987 руб.

14 987 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 987 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 987 ₽

5+

14 456 ₽

10+

13 923 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current225A
  • DC Collector Current225A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Power Dissipation Pd20mW
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module