INFINEON, FF200R06KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 260 A, 1.45 V, 680 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF200R06KE3HOSA1
- Order Code2839509
15 361 руб.
15 361 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 15 361 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
15 361 ₽
5+
14 218 ₽
10+
13 076 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:260A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:680W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current260A
- Continuous Collector Current260A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
- Power Dissipation Pd680W
- Power Dissipation680W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max600V
- IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)