INFINEON, FF200R06KE3HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 260 A, 1.45 V, 680 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 260 A, 1.45 V, 680 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R06KE3HOSA1
  • Order Code2839509

15 361 руб.

15 361 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 361 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 361 

5+

14 218 

10+

13 076 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:260A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:680W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current260A
  • Continuous Collector Current260A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation Pd680W
  • Power Dissipation680W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max600V
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 260 A, 1.45 V, 680 W, 150 °C, Module