INFINEON, FF200R17KE3HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R17KE3HOSA1
  • Order Code2726125

21 638 руб.

21 638 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 21 638 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

21 638 

5+

20 563 

10+

19 488 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:310A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transisto

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • DC Collector Current310A
  • Continuous Collector Current310A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation1.25kW
  • Power Dissipation Pd1.25kW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationTab
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module