INFINEON, FF200R17KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF200R17KE3HOSA1
- Order Code2726125
21 638 руб.
21 638 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 21 638 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
21 638 ₽
5+
20 563 ₽
10+
19 488 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:310A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transisto
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- DC Collector Current310A
- Continuous Collector Current310A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation1.25kW
- Power Dissipation Pd1.25kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationTab
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)