INFINEON, FF300R17ME4BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF300R17ME4BOSA1
  • Order Code2726136

19 252 руб.

19 252 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 19 252 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

19 252 

5+

18 908 

10+

18 563 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:375A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.8kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transis

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current375A
  • Continuous Collector Current375A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd1.8kW
  • Power Dissipation1.8kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 150 °C, Module