INFINEON, FF450R08A03P2XKSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF450R08A03P2XKSA1
  • Order Code3625331

20 580 руб.

20 580 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 20 580 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

20 580 

5+

20 578 

10+

20 577 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current450A
  • DC Collector Current450A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2V
  • Power Dissipation Pd1.667kW
  • Power Dissipation1.667kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT Termination-
  • Collector Emitter Voltage Max750V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
  • IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeHybridPACK
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Module