INFINEON, DF100R07W1H5FPB53BPSA2

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoDF100R07W1H5FPB53BPSA2
  • Order Code3625421

7 658 руб.

7 658 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 658 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 658 ₽

5+

7 348 ₽

10+

7 035 ₽

50+

6 895 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current50A
  • DC Collector Current50A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.35V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.35V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • IGBT TechnologyTrench Stop 5 H5/ CoolSiC
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEasyPACK TRENCHSTOP
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module