INFINEON, FF50R12RT4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.85 V, 285 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.85 V, 285 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF50R12RT4HOSA1
  • Order Code2726144

11 246 руб.

11 246 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 246 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 246 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:285W; Collector Emit; Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current50A
  • Continuous Collector Current50A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation Pd285W
  • Power Dissipation285W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.85 V, 285 W, 150 °C, Module