INFINEON, FF50R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.85 V, 285 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF50R12RT4HOSA1
- Order Code2726144
11 246 руб.
11 246 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 246 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 246 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:285W; Collector Emit; Available until stocks are exhausted
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current50A
- Continuous Collector Current50A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Power Dissipation Pd285W
- Power Dissipation285W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)