INFINEON, FF500R17KE4BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF500R17KE4BOSA1
  • Order Code2986498

25 567 руб.

25 567 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 25 567 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

25 567 

5+

25 313 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:500A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current500A
  • Continuous Collector Current500A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 500 A, 1.95 V, 150 °C, Module