ONSEMI, NVG800A75L4DSC

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 550 A, 1.55 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 550 A, 1.55 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNVG800A75L4DSC
  • Order Code3617516

48 489 руб.

290 934 руб. всего

Минимальный заказ от 6 штук

Оставить запрос

→ 6 шт. на сумму 290 934 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

6+

48 489 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current550A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage Max750V
  • IGBT TechnologyIGBT [Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 550 A, 1.55 V, 175 °C, Module