INFINEON, FF400R12KE3HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF400R12KE3HOSA1
  • Order Code2726138

22 999 руб.

22 999 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 22 999 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

22 999 

5+

22 922 

10+

22 844 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:580A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:2kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current580A
  • DC Collector Current580A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Power Dissipation2kW
  • Power Dissipation Pd2kW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationTab
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module