INFINEON, FF400R12KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF400R12KE3HOSA1
- Order Code2726138
22 999 руб.
22 999 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 22 999 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
22 999 ₽
5+
22 922 ₽
10+
22 844 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:580A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:2kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Continuous Collector Current580A
- DC Collector Current580A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Power Dissipation2kW
- Power Dissipation Pd2kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationTab
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)