INFINEON, FF600R12IE4BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R12IE4BOSA1
  • Order Code2726146

47 834 руб.

143 502 руб. всего

Минимальный заказ от 3 штук

Оставить запрос

→ 3 шт. на сумму 143 502 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

3+

47 834 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:3.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current600A
  • DC Collector Current600A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation3.35kW
  • Power Dissipation Pd3.35kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module