INFINEON, FF450R12ME4BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF450R12ME4BOSA1
  • Order Code2726142

24 328 руб.

24 328 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 24 328 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

24 328 

5+

23 294 

10+

22 350 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:675A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current675A
  • Continuous Collector Current675A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd2.25kW
  • Power Dissipation2.25kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module