INFINEON, FF450R12ME4BOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF450R12ME4BOSA1
- Order Code2726142
24 328 руб.
24 328 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 24 328 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
24 328 ₽
5+
23 294 ₽
10+
22 350 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:675A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current675A
- Continuous Collector Current675A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Power Dissipation Pd2.25kW
- Power Dissipation2.25kW
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoDUAL 3
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)