INFINEON, DF80R12W2H3FB11BPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoDF80R12W2H3FB11BPSA1
  • Order Code3625426

10 837 руб.

10 837 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 837 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

10 837 ₽

5+

10 160 ₽

10+

9 483 ₽

50+

8 806 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current80A
  • DC Collector Current80A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEasyPACK CoolSiC
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module