INFINEON, FF800R12KE7EHPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF800R12KE7EHPSA1
  • Order Code4228380

24 452 руб.

24 452 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 24 452 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

24 452 

5+

23 544 

10+

22 635 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current800A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationScrew
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 7
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module