IXYS SEMICONDUCTOR, MII75-12A3

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 90 A, 2.2 V, 370 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 90 A, 2.2 V, 370 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMII75-12A3
  • Order Code2782990

7 913 руб.

7 913 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 913 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 913 

5+

7 755 

10+

7 597 

50+

7 438 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:370W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current90A
  • DC Collector Current90A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Power Dissipation370W
  • Power Dissipation Pd370W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins11Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 90 A, 2.2 V, 370 W, 125 °C, Module