IXYS SEMICONDUCTOR, MII75-12A3
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 90 A, 2.2 V, 370 W, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoMII75-12A3
- Order Code2782990
7 913 руб.
7 913 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 7 913 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
7 913 ₽
5+
7 755 ₽
10+
7 597 ₽
50+
7 438 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:370W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Continuous Collector Current90A
- DC Collector Current90A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
- Power Dissipation370W
- Power Dissipation Pd370W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins11Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)