INFINEON, FF900R12IE4PBOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF900R12IE4PBOSA1
- Order Code2781237
63 180 руб.
63 180 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 63 180 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
63 180 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current900A
- Continuous Collector Current900A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Power Dissipation Pd5.1kW
- Power Dissipation5.1kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 2
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)