INFINEON, F4100R12KS4BOSA1
IGBT Module, Four Pack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoF4100R12KS4BOSA1
- Order Code2726109
24 990 руб.
24 990 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 24 990 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
24 990 ₽
5+
23 928 ₽
10+
22 960 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:130A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:660W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationFour Pack
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current130A
- Continuous Collector Current130A
- Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
- Power Dissipation Pd660W
- Power Dissipation660W
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoPACK 3
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)