INFINEON, F4100R12KS4BOSA1

IGBT Module, Four Pack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Four Pack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoF4100R12KS4BOSA1
  • Order Code2726109

24 990 руб.

24 990 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 24 990 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

24 990 

5+

23 928 

10+

22 960 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:130A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:660W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationFour Pack
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current130A
  • Continuous Collector Current130A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
  • Power Dissipation Pd660W
  • Power Dissipation660W
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoPACK 3
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Four Pack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module