STARPOWER, GD600HFY120C2S

IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD600HFY120C2S
  • Order Code2986066

24 611 руб.

24 611 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 24 611 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

24 611 

5+

23 764 

10+

21 943 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:3.409kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current1kA
  • DC Collector Current1kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation Pd3.409kW
  • Power Dissipation3.409kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module