SEMIKRON, SKM100GB125DN

IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    SEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM100GB125DN
  • Order Code2423681

26 120 руб.

26 120 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 26 120 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

26 120 

5+

25 224 

10+

23 288 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.3V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current100A
  • Continuous Collector Current100A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module